美國無限期豁免后 三星將升級西安工廠NAND芯片工藝至236層

(相關(guān)資料圖)

快科技10月16日消息，根據(jù)此前的相關(guān)報(bào)道，三星和SK海力士獲得美國無限期豁免，不需要特別的許可批準(zhǔn)，即可為其在中國的工廠安裝帶有美國技術(shù)的制造設(shè)備。

對于三星來說這無疑是一個(gè)好消息，在取得豁免后三星也確實(shí)在采取相應(yīng)措施。據(jù)Business Korea今天的報(bào)道，三星電子決定將其西安NAND閃存工廠升級到236層NAND工藝。

報(bào)道顯示，三星已開始采購最新的半導(dǎo)體設(shè)備，新設(shè)備預(yù)計(jì)將在2023年底交付，并于2024年在西安工廠陸續(xù)引進(jìn)可生產(chǎn)236層（第8代）NAND的設(shè)備。

三星決定升級其西安工廠的原因主要由兩個(gè)：

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