世界上最小尺寸相變存儲單元器件 上海微系統(tǒng)首次采用GNR邊緣接觸制備

據(jù)中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所 消息，該所研究員宋志棠、王浩敏組成聯(lián)合研究團(tuán)隊(duì)，首次采用GNR邊緣接觸制備出目前世界上最小尺寸的相變存儲單元器件。

7月18日，相關(guān)研究成果以《通過石墨烯納米帶邊界接觸實(shí)現(xiàn)相變存儲器編程功耗最小化》(Minimizing the programming power of phase change memory by using graphene nanoribbon edge-contact)為題，在線發(fā)表在《先進(jìn)科學(xué)》上。

據(jù)了解，當(dāng)今數(shù)據(jù)生產(chǎn)呈現(xiàn)爆炸式增長，傳統(tǒng)的馮·諾依曼計(jì)算架構(gòu)已成為未來繼續(xù)提升計(jì)算系統(tǒng)性能的主要技術(shù)障礙。

而相變隨機(jī)存取存儲器(PCRAM)可以結(jié)合存儲和計(jì)算功能，是突破馮·諾依曼計(jì)算構(gòu)架瓶頸的理想路徑選擇。

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